Intel lanseaza primul tranzistor 3D, numit Tri-Gate

Intel marcheaza astazi un moment istoric in evolutia tranzistorilor, baza microscopica a produselor electronice moderne. Pentru prima data de la inventarea tranzistorului din siliciu in urma cu 50 de ani, se va incepe productia in masa a tranzistorilor care folosesc o structura tridimensionala. Intel va incepe astfel productia de masa pentru revolutionarul tranzistor 3-D, numit Tri-Gate, anuntat prima data in 2002; noul tranzistor va fi incorporat in procesorul ''Ivy Bridge''. Un nanometru este a miliarda parte dintr-un metru.

Tranzistorii tridimensionali Tri-Gate reprezinta un avans tehnologic foarte mare, comparativ cu structura anterioara bidimensionala, care a fost folosita atat pentru toate computerele, telefonele mobile sau electronicele de larg consum, cat si pentru aparatele de control electronic al masinilor, nave spatiale, aparate electrocasnice, dispozitive medicale si sute de alte aparate din ultimul deceniu.

''Inginerii si oamenii de stiinta au reinventat tranzistorul, de aceasta data folosind cea de-a treia dimensiune'', a declarat Paul Otellini, presedinte si CEO al Intel. ''Cu ajutorul noilor tranzistori vom dezvolta noi produse inovatoare si uimitoare, ducand Legea lui Moore catre noi domenii'', a completat Otellini.

Oamenii de stiinta au recunoscut importanta structurii 3-D in sustinerea dinamicii Legii lui Moore. In timp ce dimensiunile produselor devin din ce in ce mai mici, legile fizicii impiedica avansul tehnologic. Esenta anuntului de astazi este abilitatea Intel de a incepe productia in masa a tranzistorilor 3-D Tri-Gate, deschizand in acelasi timp o noua era a Legii lui Moore, care va conduce la aparitia unei noi generatii de inovatii pentru un spectru larg de dispozitive. Legea lui Moore a anticipat dinamica dezvoltarii tehnologiei pe baza de siliciu. Legea sustine ca la fiecare doi ani numarul de tranzistori care se poate amplasa pe un circuit integrat se dubleaza, iar performanta creste si costurile scad. Legea lui Moore a devenit modelul de business de baza pentru industria semiconductorilor din ultimii 40 de ani.

Performanta crescuta si consum redus de energie

Tranzistorii Intel 3-D Tri-Gate permit chip-urilor sa functioneze la voltaj scazut, dispunand de o performanta imbunatatita si eficienta energetica, fata de generatiile anterioare. Aceste capabilitati ofera producatorilor de chip-uri flexibilitatea de a alege tranzistori creati pentru consum redus de energie si eficienta crescuta, in functie de aplicatii.

Tranzistorul 3-D Tri-Gate pe 22nm ofera o perfomanta crescuta cu pana la 37%, comparativ cu versiunea anterioara pe 32nm. Rata de crestere a performantei se traduce prin faptul ca noile produse vor putea fi integrate in dispozitive de mici dimensiuni. Noii tranzistori consuma mai putin de jumatate din energia utilizata la aceeasi perfomanta de un tranzistor pe 32nm.

''Castigurile de performanta si energie ale tranzistorilor Intel 3-D Tri-Gate nu au termen de comparatie'' a declarat Mark Bohr, Intel Senior Fellow. ''Aceasta realizare a depasit Legea lui Moore. Beneficiile voltajului si al consumului de energie redus depasesc cu mult progresul pe care il vedem de la o generatie la alta. Noile produse vor oferi producatorilor de aparate flexibilitatea de a produce echipamente mai inteligente si cat mai inovatoare. Credem ca aceasta inovatie va intari pozitia de lider tehnologic a Intel'', a completat Bohr.

Continuand dinamica inovatiei – Legea lui Moore

Tranzistorii continua sa devina mai inteligenti, mai ieftini si mai eficienti din punct de vedere energetic, in conformitate cu Legea lui Moore – numita dupa co-fondatorul Intel, Gordon Moore. Datorita acesteia, Intel a putut inova prin adaugarea de noi caracteristici si nuclee pentru fiecare chip, crescand performanta si scazand costurile de productie ale tranzistorilor.

Sustinerea progresului Legii lui Moore devine si mai complexa cu noua generatie de tranzistori pe 22nm. Anticipand acest lucru, cercetatorii Intel au inventat in 2002 ceea ce ei numesc tranzistorul Tri-Gate, numit asa dupa cele trei laturi ale portii. Anuntul de azi vine dupa ani intregi de cercetare a diviziei R&D a Intel si marcheaza implementarea acestui efort pentru productia de masa.

Tranzistorii 3-D Tri-Gate au reinventat practic aceasta industrie. Controlul curentului este acum realizat prin implementarea unei porti pe fiecare dintre cele trei laturi. Controlul aditional permite o mai mare circulatie a curentului atunci cand tranzistorul functioneaza (pentru performanta) si aproape de zero atunci cand tranzistorul nu e folosit (pentru minimizarea consumului de energie) si permite tranzistorului sa treaca foarte repede de la o stare la alta (pentru performanta).

Asa cum zgarie-norii permit arhitectilor sa optimizeze spatiul urban prin realizarea de constructii inalte, structura tranzistorilor 3-D Tri-Gate ofera un nou mod de a gestiona densitatea. Datorita noului mod de constructie, distanta dintre tranzistori se micsoreaza, aceasta fiind o componenta esentiala pentru beneficiile tehnologice si economice ale Legii lui Moore.

''De ani de zile asistam la scaderea dimensiunilor tranzistorilor'', a declarat Moore. ''Aceasta schimbare a structurii de baza este cu adevarat revolutionara, una care ar trebui sa permita Legii lui Moore si dinamicii istorice de inovare sa continue'', a completat Moore.

Prima implementare a tranzistorului 3-D Tri-Gate pe 22nm

Primul tranzistor 3-D Tri-Gate va fi folosit in noul proces de productie de chip-uri pe 22nm. Peste 6 milioane de tranzistori Tri-Gate de 22nm incap in punctul de la finele acestei propozitii.

Gama de procesoare Intel Core, Ivy Bridge, va fi prima care va folosi noii tranzistori 3-D Tri-Gate. Noile procesoare sunt programate sa intre in productia de masa la sfarsitul anului.

Acest nou tranzistor va ajuta de asemenea la crearea unor produse bazate pe procesoare Intel Atom mai performante.